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衬偏效应
chèn piān xiào yīng · ㄔㄣˋ ㄆㄧㄢ ㄒㄧㄠˋ ㄧㄥ
chen pian xiao ying
cpxy
ㄔㄣ ㄆㄧㄢ ㄒㄧㄠ ㄧㄥ
2026-07-13 17:48:14
扩展释义
MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电沟道——表面反型层来进行的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结——场感应结。一旦出现了沟道，则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大，并保持不再变化（不随栅极电压而变化）。